International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB65R190C6ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB65R190C6ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB65R190C6ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 730µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 7.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

151W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IPB65R190C6
IPB65R190C6-ND
IPB65R190C6ATMA1TR
IPB65R190C6TR-ND
SP000863890
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1620pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20.2A (Tc)

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IPB65R310CFDATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPB65R190C6ATMA1

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