Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB80N04S303ATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5678492IPB80N04S303ATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N04S303ATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$2.84
10+
$2.564
100+
$2.06
500+
$1.602
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB80N04S303ATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPB80N04S303ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 120µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO263-3-2
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    188W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB80N04S3-03CT
    IPB80N04S3-03CT-ND
    IPB80N04S303ATMA1CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    7300pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 80A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPB80N04S303ATMA1".
IPB80N04S404ATMA1

IPB80N04S404ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB77N06S212ATMA2

IPB77N06S212ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S205ATMA1

IPB80N06S205ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB77N06S3-09

IPB77N06S3-09

La description: MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S204ATMA2

IPB80N04S204ATMA2

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S204ATMA1

IPB80N04S204ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N03S4L02ATMA1

IPB80N03S4L02ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S304ATMA1

IPB80N04S304ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N03S4L03ATMA1

IPB80N03S4L03ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB79CN10N G

IPB79CN10N G

La description: MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S2H4ATMA2

IPB80N04S2H4ATMA2

La description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S2L03ATMA1

IPB80N04S2L03ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S4L04ATMA1

IPB80N04S4L04ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S403ATMA1

IPB80N04S403ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S306ATMA1

IPB80N04S306ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S3H4ATMA1

IPB80N04S3H4ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.