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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB80N04S3H4ATMA1
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5677794IPB80N04S3H4ATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N04S3H4ATMA1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB80N04S3H4ATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPB80N04S3H4ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 65µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO263-3-2
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    115W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB80N04S3-H4
    IPB80N04S3-H4-ND
    IPB80N04S3H4ATMA1TR
    SP000415564
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3900pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    80A (Tc)

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Expédition
Paiement
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IPB80N04S2H4ATMA2

IPB80N04S2H4ATMA2

La description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N04S204ATMA2

IPB80N04S204ATMA2

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB80N03S4L03ATMA1

IPB80N03S4L03ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB80N04S403ATMA1

IPB80N04S403ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

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RFQ
IPB80N04S304ATMA1

IPB80N04S304ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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RFQ
IPB80N04S306ATMA1

IPB80N04S306ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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RFQ
IPB80N04S2L03ATMA1

IPB80N04S2L03ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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RFQ
IPB80N04S404ATMA1

IPB80N04S404ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

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IPB80N03S4L02ATMA1

IPB80N03S4L02ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

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IPB80N06S208ATMA2

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La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N06S205ATMA1

IPB80N06S205ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N04S303ATMA1

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La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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IPB80N04S4L04ATMA1

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IPB80N06S207ATMA1

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IPB80N06S209ATMA1

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La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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IPB80N04S204ATMA1

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La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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