Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB80N06S208ATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5547911IPB80N06S208ATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S208ATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB80N06S208ATMA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO263-3-2
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.7 mOhm @ 58A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    215W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB80N06S2-08
    IPB80N06S2-08-ND
    IPB80N06S208ATMA1TR
    SP000218830
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2860pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    55V
  • Description détaillée
    N-Channel 55V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    80A (Tc)
IPB80N06S2L06ATMA1

IPB80N06S2L06ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N04S304ATMA1

IPB80N04S304ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S209ATMA1

IPB80N06S209ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N04S4L04ATMA1

IPB80N04S4L04ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S2L-H5

IPB80N06S2L-H5

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S2L05ATMA1

IPB80N06S2L05ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N04S3H4ATMA1

IPB80N04S3H4ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N04S306ATMA1

IPB80N04S306ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N04S404ATMA1

IPB80N04S404ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S208ATMA2

IPB80N06S208ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N04S303ATMA1

IPB80N04S303ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S2L06ATMA2

IPB80N06S2L06ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N04S403ATMA1

IPB80N04S403ATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB80N06S205ATMA1

IPB80N06S205ATMA1

La description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter