R6011ENJTL

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Spécifications

Modèle de produit

R6011ENJTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 600V 11A LPT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.R6011ENJTL.pdf
2.R6011ENJTL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

LPTS (D2PAK)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

40W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

R6011ENJTLTR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "R6011ENJTL".

R6011225XXYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.

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