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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > R6012225XXYA
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R6012225XXYA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6012225XXYA
  • Fabricant / marque
    Powerex, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    R6012225XXYA.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.5V @ 800A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    2200V
  • Package composant fournisseur
    DO-205AB, DO-9
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    11µs
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Chassis, Stud Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 2200V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    50mA @ 2200V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    250A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Expédition
Paiement
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R6011825XXYA

R6011825XXYA

La description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6011625XXYA

R6011625XXYA

La description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6011630XXYA

R6011630XXYA

La description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

La description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6011ENJTL

R6011ENJTL

La description: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6011KNJTL

R6011KNJTL

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

La description: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

La description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

La description: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

La description: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

La description: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6013-00

R6013-00

La description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Fabricant: Harwin
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RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

La description: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6011ENX

R6011ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

La description: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

La description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
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