R6011KNX

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Spécifications

Modèle de produit

R6011KNX
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R6011KNX.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220FM
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

53W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 11A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

11A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "R6011KNX".

R6012ANJTL

La description: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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