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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6012FNJTL
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5944545R6012FNJTL imageLAPIS Semiconductor

R6012FNJTL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6012FNJTL
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 12A LPT
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.R6012FNJTL.pdf
    2.R6012FNJTL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    LPTS (SC-83)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    510 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    50W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    R6012FNJTLTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 12A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS (SC-83)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    12A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "R6012FNJTL".
R6011ENX

R6011ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6011KNJTL

R6011KNJTL

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

La description: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

La description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

La description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

La description: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

La description: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6015ENZC8

R6015ENZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

La description: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

La description: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6015FNJTL

R6015FNJTL

La description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6013-00

R6013-00

La description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Fabricant: Harwin
En stock
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

La description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

La description: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

La description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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