R6020ANJTL

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Spécifications

Modèle de produit

R6020ANJTL
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R6020ANJTL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

LPTS
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)

100W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2040pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 20A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "R6020ANJTL".

R6020825HSYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.

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