R6020835ESYA

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Spécifications

Modèle de produit

R6020835ESYA
Fabricant / marque

Powerex, Inc.
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

R6020835ESYA.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.5V @ 800A
Tension - inverse (Vr) (max)

800V
Package composant fournisseur

DO-205AB, DO-9
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

2µs
Emballage

Bulk
Package / Boîte

DO-205AB, DO-9, Stud
Température d'utilisation - Jonction

-45°C ~ 150°C
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 800V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Courant - fuite, inverse à Vr

50mA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

350A
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "R6020835ESYA".

R6020ENZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Fabricant: Rohm Semiconductor

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