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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > R6020635ESYA
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R6020635ESYA

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6020635ESYA
  • Fabricant / marque
    Powerex, Inc.
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    R6020635ESYA.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.5V @ 800A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    DO-205AB, DO-9
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    2µs
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Température d'utilisation - Jonction
    -45°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Chassis, Stud Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    50mA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    350A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Expédition
Paiement
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R6020225HSYA

R6020225HSYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

La description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6020ENZ1C9

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La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Fabricant: Rohm Semiconductor
En stock
RFQ
R6020222PSYA

R6020222PSYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

La description: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020ENX

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La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R60200-3CR

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La description: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricant: Bussmann (Eaton)
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RFQ
R6020825HSYA

R6020825HSYA

La description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020425HSYA

R6020425HSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020ANX

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La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6020235ESYA

R6020235ESYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020422PSYA

R6020422PSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R60200-1STRM

R60200-1STRM

La description: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricant: Bussmann (Eaton)
En stock
RFQ
R6020622PSYA

R6020622PSYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020625HSYA

R6020625HSYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020435ESYA

R6020435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020ANZC8

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La description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
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