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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6024ENJTL
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226752R6024ENJTL imageLAPIS Semiconductor

R6024ENJTL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6024ENJTL
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 24A LPT
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.R6024ENJTL.pdf
    2.R6024ENJTL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    LPTS (D2PAK)
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    40W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    R6024ENJTLCT
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    17 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1650pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 24A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    24A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "R6024ENJTL".
R6021022PSYA

R6021022PSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

La description: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
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