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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6024KNZ1C9
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279508R6024KNZ1C9 imageLAPIS Semiconductor

R6024KNZ1C9

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Spécifications
  • Modèle de produit
    R6024KNZ1C9
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    R6024KNZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-247
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    245W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    R6024KNZ1C9TR
    R6024KNZ1C9TR-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    13 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 24A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-247
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    24A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "R6024KNZ1C9".
R6030422PSYA

R6030422PSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6024ENX

R6024ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

La description: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6024KNX

R6024KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
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RFQ
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