Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R6025FNZ1C9
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3260881R6025FNZ1C9 imageLAPIS Semiconductor

R6025FNZ1C9

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$7.31
10+
$6.526
100+
$5.352
500+
$4.333
1000+
$3.655
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    R6025FNZ1C9
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 600V 25A TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    R6025FNZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-247
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    150W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3500pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    600V
  • Description détaillée
    N-Channel 600V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    25A (Tc)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "R6025FNZ1C9".
R6024ENZC8

R6024ENZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030435ESYA

R6030435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6024ENJTL

R6024ENJTL

La description: MOSFET N-CH 600V 24A LPT

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030222PSYA

R6030222PSYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

La description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

La description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

La description: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

La description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Fabricant: Powerex, Inc.
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.