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1298000RFN20NS3SFHTL imageLAPIS Semiconductor

RFN20NS3SFHTL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RFN20NS3SFHTL
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.35V @ 20A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    350V
  • Package composant fournisseur
    LPDS
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    35ns
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    RFN20NS3SFHTLCT
  • Température d'utilisation - Jonction
    150°C (Max)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    10 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 350V 20A Surface Mount LPDS
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 350V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    20A
  • Capacité à Vr, F
    412pF @ 0V, 1MHz
RFN1L7STE25

RFN1L7STE25

La description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
En stock
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

La description: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN20TF6S

RFN20TF6S

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN1LAM7STFTR

RFN1LAM7STFTR

La description: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN2LAM4STR

RFN2LAM4STR

La description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN10NS6STL

RFN10NS6STL

La description: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN10T2D

RFN10T2D

La description: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

La description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN10BM6SFHTL

RFN10BM6SFHTL

La description: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN10TF6S

RFN10TF6S

La description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

La description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

La description: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

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RFN1L6STE25

RFN1L6STE25

La description: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

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RFN10NS6SFHTL

RFN10NS6SFHTL

La description: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

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RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

La description: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

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RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

La description: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

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RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

La description: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

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