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1910678RFN10BM6SFHTL imageLAPIS Semiconductor

RFN10BM6SFHTL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RFN10BM6SFHTL
  • Fabricant / marque
    LAPIS Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.RFN10BM6SFHTL.pdf
    2.RFN10BM6SFHTL.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.55V @ 10A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    600V
  • Package composant fournisseur
    TO-252
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Automotive, AEC-Q101
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    50ns
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    RFN10BM6SFHTLTR
  • Température d'utilisation - Jonction
    150°C (Max)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 600V 10A Surface Mount TO-252
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 600V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    10A
  • Capacité à Vr, F
    -

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RFN10NS6SFHTL

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Fabricant: LAPIS Semiconductor
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RFQ
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