RFN1L7STE25

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Spécifications

Modèle de produit

RFN1L7STE25
Fabricant / marque

LAPIS Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RFN1L7STE25.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.5V @ 800mA
Tension - inverse (Vr) (max)

700V
Package composant fournisseur

PMDS
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

80ns
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

DO-214AC, SMA
Autres noms

RFN1L7STE25CT
Température d'utilisation - Jonction

150°C (Max)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 700V 800mA Surface Mount PMDS
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 700V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

800mA
Capacité à Vr, F

-
Numéro de pièce de base

RFN1L7S

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Ce qui suit est des produits liés à "RFN1L7STE25".

RFN10T2D

La description: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Fabricant: LAPIS Semiconductor

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