APT12057B2FLLG

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Spécifications

Modèle de produit

APT12057B2FLLG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT12057B2FLLG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

5155pF @ 25V
Tension - Ventilation

T-MAX™ [B2]
Vgs (th) (Max) @ Id

570 mOhm @ 11A, 10V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Séries

POWER MOS 7®
État RoHS

Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22A (Tc)
Polarisation

TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

APT12057B2FLLG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

185nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5V @ 2.5mA
Fonction FET

N-Channel
Description élargie

N-Channel 1200V (1.2kV) 22A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tension drain-source (Vdss)

-
La description

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1200V (1.2kV)
Ratio de capacité

690W (Tc)

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APT11GF120KRG

La description: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Fabricant: Microsemi

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