APT11GF120KRG

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Spécifications

Modèle de produit

APT11GF120KRG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 25A 156W TO220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT11GF120KRG.pdf
2.APT11GF120KRG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 8A
Condition de test

800V, 8A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

7ns/100ns
énergie de commutation

300µJ (on), 285µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-220 [K]
Séries

-
Puissance - Max

156W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

NPT
gate charge

65nC
Description détaillée

IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K]
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

44A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

25A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT11GF120KRG".

APT10M11JVRU2

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi

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