Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT11GF120KRG
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5169524

APT11GF120KRG

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    APT11GF120KRG
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 1200V 25A 156W TO220
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.APT11GF120KRG.pdf
    2.APT11GF120KRG.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    1200V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 8A
  • Condition de test
    800V, 8A, 10 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    7ns/100ns
  • énergie de commutation
    300µJ (on), 285µJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-220 [K]
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    156W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    NPT
  • gate charge
    65nC
  • Description détaillée
    IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K]
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    44A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    25A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT11GF120KRG".
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

La description: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

La description: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

La description: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

La description: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

La description: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

La description: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

La description: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

La description: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

La description: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

La description: IGBT 600V 41A 187W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.