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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT11GP60BDQBG
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1658105APT11GP60BDQBG imageMicrosemi

APT11GP60BDQBG

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT11GP60BDQBG
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 41A 187W TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    APT11GP60BDQBG.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 11A
  • Condition de test
    400V, 11A, 5 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    7ns/29ns
  • énergie de commutation
    46µJ (on), 90µJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-247-3
  • Séries
    POWER MOS 7®
  • Puissance - Max
    187W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    PT
  • gate charge
    40nC
  • Description détaillée
    IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    45A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    41A

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT11GP60BDQBG".
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

La description: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

La description: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

La description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

La description: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

La description: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

La description: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

La description: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

La description: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

La description: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

La description: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT12031JFLL

APT12031JFLL

La description: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT12057JLL

APT12057JLL

La description: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

La description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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