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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT30F50B
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705479APT30F50B imageMicrosemi

APT30F50B

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT30F50B
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.APT30F50B.pdf
    2.APT30F50B.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-247 [B]
  • Séries
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 14A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    415W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    APT30F50BMP
    APT30F50BMP-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4525pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    115nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    500V
  • Description détaillée
    N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    30A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT30F50B".
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

La description: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

La description: IGBT 600V 63A 203W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

La description: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

La description: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

La description: IGBT 600V 100A 463W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

La description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

La description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

La description: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

La description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

La description: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ120BCTG

APT30DQ120BCTG

La description: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

La description: DIODE MODULE 200V SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

La description: IGBT 600V 63A 203W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ100KG

APT30DQ100KG

La description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

La description: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

La description: IGBT 600V 100A 463W TO247

Fabricant: Microsemi
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RFQ
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