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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT30GN60BDQ2G
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5307822APT30GN60BDQ2G imageMicrosemi

APT30GN60BDQ2G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT30GN60BDQ2G
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 63A 203W TO247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.APT30GN60BDQ2G.pdf
    2.APT30GN60BDQ2G.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Condition de test
    400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    12ns/155ns
  • énergie de commutation
    525µJ (on), 700µJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-247 [B]
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    203W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • gate charge
    165nC
  • Description détaillée
    IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B]
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    90A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    63A

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT30GN60BDQ2G".
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

La description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

La description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

La description: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

La description: IGBT 600V 63A 203W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

La description: DIODE MODULE 200V SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

La description: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

La description: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

La description: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

La description: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

La description: IGBT 600V 100A 463W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

La description: IGBT 600V 64A 250W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

La description: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

La description: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

La description: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

La description: IGBT 600V 54A 250W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

La description: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

La description: IGBT 600V 100A 463W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

La description: IGBT 600V 54A 250W TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

La description: IGBT 600V 100A 463W TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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