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APTGLQ100A120T3AG

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Spécifications

Modèle de produit

APTGLQ100A120T3AG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

PWR MOD IGBT4 1200V 185A SP3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTGLQ100A120T3AG.pdf
2.APTGLQ100A120T3AG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A
Package composant fournisseur

SP3
Séries

-
Puissance - Max

650W
Package / Boîte

SP3
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

6.15nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 185A 650W Through Hole SP3
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

185A
Configuration

Half Bridge

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTGLQ100A120T3AG".

APTGLQ100A120TG

La description: POWER MODULE - IGBT

Fabricant: Microsemi

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