APTGLQ150H120G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGLQ150H120G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MODULE - IGBT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTGLQ150H120G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A
Package composant fournisseur

SP6
Séries

-
Puissance - Max

750W
Package / Boîte

Module
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

8.8nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 250A 750W Chassis Mount SP6
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

250A
Configuration

Full Bridge

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTGLQ150H120G".

APTGLQ30H65T3G

La description: POWER MODULE - IGBT

Fabricant: Microsemi

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