APTGLQ100A65T1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGLQ100A65T1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTGLQ100A65T1G.pdf
2.APTGLQ100A65T1G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 100A
Package composant fournisseur

SP1
Séries

-
Puissance - Max

350W
Package / Boîte

SP1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

6nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650V 200A 350W Through Hole SP1
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

200A
Configuration

Half Bridge

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "APTGLQ100A65T1G".

APTGL90H120T3G

La description: MOD IGBT 1200V 110A SP3

Fabricant: Microsemi

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