JAN1N5550US

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N5550US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N5550US.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

3A
Tension - Ventilation

D-5B
Séries

Military, MIL-PRF-19500/420
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

SQ-MELF, B
Autres noms

1086-19411
1086-19411-MIL
Température d'utilisation - Jonction

2µs
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Référence fabricant

JAN1N5550US
Description élargie

Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
Configuration diode

1µA @ 200V
La description

DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr

1.2V @ 9A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

200V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N5550US".

JAN1N5546DUR-1

La description: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Fabricant: Microsemi

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