JAN1N5553

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N5553
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N5553.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.3V @ 9A
Tension - inverse (Vr) (max)

800V
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/420
Temps de recouvrement inverse (trr)

2µs
Emballage

Bulk
Package / Boîte

B, Axial
Autres noms

1086-2099
1086-2099-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 800V 3A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

-

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JAN1N5552

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Fabricant: Microsemi

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