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5708561JAN1N5554US imageMicrosemi

JAN1N5554US

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N5554US
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N5554US.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.3V @ 9A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    1000V
  • Package composant fournisseur
    D-5B
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    2µs
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SQ-MELF, B
  • Autres noms
    1086-15219
    1086-15219-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 1000V 5A Surface Mount D-5B
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1µA @ 1000V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    5A
  • Capacité à Vr, F
    -

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Expédition
Paiement
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JAN1N5551US

JAN1N5551US

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

La description: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

La description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

La description: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5550US

JAN1N5550US

La description: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

La description: TVS DIODE 175V 265V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
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RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

La description: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

La description: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

La description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

La description: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Fabricant: Microsemi
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