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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N5804US
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6334632JAN1N5804US imageMicrosemi

JAN1N5804US

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N5804US
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N5804US.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    975mV @ 2.5A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    100V
  • Package composant fournisseur
    D-5A
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    25ns
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SQ-MELF, A
  • Autres noms
    1086-2120
    1086-2120-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount D-5A
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1µA @ 100V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    2.5A
  • Capacité à Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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Paiement
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JAN1N5809

JAN1N5809

La description: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

La description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

La description: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

La description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

La description: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

La description: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

La description: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

La description: TVS DIODE 111V 179V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

La description: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

La description: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

La description: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

La description: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

La description: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

La description: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

La description: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

La description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

La description: TVS DIODE 10CFLATPACK

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

La description: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

La description: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Fabricant: Microsemi
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