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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N5809
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JAN1N5809

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N5809
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N5809.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    875mV @ 4A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    100V
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    30ns
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    B, Axial
  • Autres noms
    1086-2124
    1086-2124-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    8 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 100V 6A Through Hole
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 100V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    6A
  • Capacité à Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

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Expédition
Paiement
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JAN1N5811

JAN1N5811

La description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

La description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

La description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

La description: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

La description: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

La description: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Fabricant: Microsemi Corporation
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RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

La description: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

La description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

La description: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

La description: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

La description: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

La description: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

La description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

La description: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

La description: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

La description: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

La description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Fabricant: Microsemi
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JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

La description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Fabricant: Microsemi
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JAN1N5802US

JAN1N5802US

La description: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Fabricant: Microsemi
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