RN1106CT(TPL3)

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Spécifications

Modèle de produit

RN1106CT(TPL3)
Fabricant / marque

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RN1106CT(TPL3).pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

CST3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

4.7 kOhms
Puissance - Max

50mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

SC-101, SOT-883
Autres noms

RN1106CT(TPL3)TR
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50mA

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RN1106MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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