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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1108ACT(TPL3)
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5845028RN1108ACT(TPL3) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1108ACT(TPL3)
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN1108ACT(TPL3).pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    CST3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    47 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    22 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-101, SOT-883
  • Autres noms
    RN1108ACT(TPL3)TR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    80mA

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Expédition
Paiement
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RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1107CT(TPL3)

RN1107CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1110CT(TPL3)

RN1110CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1110,LF(CT

RN1110,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1109,LF(CT

RN1109,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RFQ
RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

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RFQ
RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1107,LF(CT

RN1107,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1108CT(TPL3)

RN1108CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RFQ
RN1106CT(TPL3)

RN1106CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RFQ
RN1106MFV,L3F

RN1106MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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