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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1110ACT(TPL3)
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4271444RN1110ACT(TPL3) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN1110ACT(TPL3)

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1110ACT(TPL3)
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    CST3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms
  • Puissance - Max
    100mW
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    SC-101, SOT-883
  • Autres noms
    RN1110ACT(TPL3)DKR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    80mA
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RN1110,LF(CT

RN1110,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1110CT(TPL3)

RN1110CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1109,LF(CT

RN1109,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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RN1108CT(TPL3)

RN1108CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1111,LF(CT

RN1111,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

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RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

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RN1111CT(TPL3)

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La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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