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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1111CT(TPL3)
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772596RN1111CT(TPL3) imageToshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1111CT(TPL3)
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN1111CT(TPL3).pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    20V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    CST3
  • Séries
    -
  • Résistance - Base (R1)
    10 kOhms
  • Puissance - Max
    50mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    SC-101, SOT-883
  • Autres noms
    RN1111CT(TPL3)CT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    300 @ 1mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    50mA

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RN1111CT(TPL3)".
RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1111,LF(CT

RN1111,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1110,LF(CT

RN1110,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1110CT(TPL3)

RN1110CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RFQ
RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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