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RN1113MFV,L3F

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Spécifications

Modèle de produit

RN1113MFV,L3F
Fabricant / marque

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantité en stock

En stock
La description

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

RN1113MFV,L3F.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type

NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur

VESM
Séries

-
Résistance - Base (R1)

47 kOhms
Puissance - Max

150mW
Package / Boîte

SOT-723
Autres noms

RN1113MFVL3F
Type de montage

Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Expédition

Paiement

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RN1118MFV,L3F

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La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN1111ACT(TPL3)

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La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1111,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1118(T5L,F,T)

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La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1115MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

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RN1116MFV,L3F

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La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN1113(T5L,F,T)

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La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1114(T5L,F,T)

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La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1114MFV,L3F

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La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN1117(T5L,F,T)

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La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1111MFV,L3F

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La description: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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RN1117MFV,L3F

La description: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

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RN1112CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1112ACT(TPL3)

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RN1116(TE85L,F)

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La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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