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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN1116MFV,L3F
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RN1116MFV,L3F

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Spécifications
  • Modèle de produit
    RN1116MFV,L3F
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN1116MFV,L3F.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    VESM
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Package / Boîte
    SOT-723
  • Autres noms
    RN1116MFVL3F
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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Expédition
Paiement
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RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN111PC

RN111PC

La description: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

Fabricant: Conxall / Switchcraft
En stock
RFQ
RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

La description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

La description: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN1112CT(TPL3)

RN1112CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1117MFV,L3F

RN1117MFV,L3F

La description: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN112-0.4-02

RN112-0.4-02

La description: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN112-0.5-02

RN112-0.5-02

La description: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN1113CT(TPL3)

RN1113CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

La description: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
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