Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > RN2115MFV,L3F
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4462621

RN2115MFV,L3F

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
8000+
$0.032
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    RN2115MFV,L3F
  • Fabricant / marque
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    RN2115MFV,L3F.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    VESM
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    10 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Package / Boîte
    SOT-723
  • Autres noms
    RN2115MFVL3F
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Délai de livraison standard du fabricant
    16 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "RN2115MFV,L3F".
RN2117MFV,L3F

RN2117MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2119MFV(TPL3)

RN2119MFV(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2118MFV(TPL3)

RN2118MFV(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2117(T5L,F,T)

RN2117(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN212-0.4-02-27M

RN212-0.4-02-27M

La description: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

La description: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN212-0.4-02

RN212-0.4-02

La description: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN2115,LF(CB

RN2115,LF(CB

La description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2113CT(TPL3)

RN2113CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2116,LF(CT

RN2116,LF(CT

La description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN212-0.4-02-39M

RN212-0.4-02-39M

La description: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
RN2118(T5L,F,T)

RN2118(T5L,F,T)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

La description: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
RN212-0.5-02

RN212-0.5-02

La description: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Fabricant: Schaffner EMC, Inc.
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.