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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > W947D6HBHX5E TR
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490060W947D6HBHX5E TR imageWinbond Electronics Corporation

W947D6HBHX5E TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W947D6HBHX5E TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    60-VFBGA (8x9)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Autres noms
    W947D6HBHX5E CT
    W947D6HBHX5E CT-ND
    W947D6HBHX5ECT
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    128Mb (8M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    5ns
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
W947D2HBJX5E

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W948D2FBJX5I TR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W947D6HBHX6E TR

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W947D6HBHX5I TR

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W948D2FBJX6E TR

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W9464G6KH-5I TR

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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W947D2HBJX5I TR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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W9464G6KH-5I

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Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W948D2FBJX6E

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