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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > W948D2FBJX6E TR
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5774377W948D2FBJX6E TR imageWinbond Electronics Corporation

W948D2FBJX6E TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W948D2FBJX6E TR
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    W948D2FBJX6E TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    90-VFBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    90-TFBGA
  • Autres noms
    W948D2FBJX6E TR-ND
    W948D2FBJX6ETR
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (8M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5ns

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Paiement
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W948D2FBJX5I TR

W948D2FBJX5I TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W948D6FBHX5I

W948D6FBHX5I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W948D6FBHX6E

W948D6FBHX6E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W948D2FBJX6E

W948D2FBJX6E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W948D2FBJX5I

W948D2FBJX5I

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W948D2FBJX5E TR

W948D2FBJX5E TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W948D6FBHX5E

W948D6FBHX5E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W948D6FB2X5J

W948D6FB2X5J

La description: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W948D6FBHX5J

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La description: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W947D6HBHX5I TR

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La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W948D6FBHX5G

W948D6FBHX5G

La description: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W948D6DBHX5I

W948D6DBHX5I

La description: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W948D6FBHX5I TR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W948D6FBHX5E TR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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W948D6DBHX6E

W948D6DBHX6E

La description: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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