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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > W9864G6KH-6I
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6967147W9864G6KH-6I imageWinbond Electronics Corporation

W9864G6KH-6I

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Spécifications
  • Modèle de produit
    W9864G6KH-6I
  • Fabricant / marque
    Winbond Electronics Corporation
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    W9864G6KH-6I.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    54-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    64Mb (4M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5ns

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Expédition
Paiement
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W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G2JH-6 TR

W9864G2JH-6 TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6KH-5 TR

W9864G6KH-5 TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6KH-6 TR

W9864G6KH-6 TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W987D2HBJX6E

W987D2HBJX6E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6JB-6

W9864G6JB-6

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6IH-6

W9864G6IH-6

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6KH-5

W9864G6KH-5

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6KH-6

W9864G6KH-6

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6JT-6

W9864G6JT-6

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6JH-6I

W9864G6JH-6I

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6KH-6I TR

W9864G6KH-6I TR

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W9864G6JH-5

W9864G6JH-5

La description: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
En stock
RFQ
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Winbond Electronics Corporation
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