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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N5407
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39664641N5407 imageON Semiconductor

1N5407

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Spécifications
  • Modèle de produit
    1N5407
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    1N5407.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    3A
  • Tension - Ventilation
    DO-201AD
  • Séries
    -
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Autres noms
    1N5407OS
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Référence fabricant
    1N5407
  • Description élargie
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Configuration diode
    10µA @ 800V
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1V @ 3A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    800V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 170°C

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "1N5407".
1N5407-G

1N5407-G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
1N5406RL

1N5406RL

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N5406GHR0G

1N5406GHR0G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5406GHB0G

1N5406GHB0G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5406GP-E3/54

1N5406GP-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407

1N5407

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5406G-T

1N5406G-T

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N5406TA

1N5406TA

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
En stock
RFQ
1N5407G

1N5407G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5406T-G

1N5406T-G

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
1N5406RLG

1N5406RLG

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
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