Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N5407G
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
57066441N5407G imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N5407G

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$0.39
10+
$0.295
100+
$0.184
500+
$0.126
1000+
$0.097
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    1N5407G
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1N5407G.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1V @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    800V
  • Package composant fournisseur
    Axial
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Autres noms
    1N5407GOS
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    11 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 800V 3A Through Hole Axial
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    10µA @ 800V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    -
  • Numéro de pièce de base
    1N5407

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "1N5407G".
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407

1N5407

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5407G-T

1N5407G-T

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5406TA

1N5406TA

La description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
En stock
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5407

1N5407

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Comchip Technology
En stock
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.