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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > 1N5407G A0G
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66152711N5407G A0G imageTSC (Taiwan Semiconductor)

1N5407G A0G

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25000+
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Spécifications
  • Modèle de produit
    1N5407G A0G
  • Fabricant / marque
    Taiwan Semiconductor
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1N5407G A0G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1V @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    800V
  • Package composant fournisseur
    DO-201AD
  • La vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Box (TB)
  • Package / Boîte
    DO-201AD, Axial
  • Autres noms
    1N5407G A0GTB
    1N5407G A0GTB-ND
    1N5407GA0GTB
  • Température d'utilisation - Jonction
    -55°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    5µA @ 800V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "1N5407G A0G".
1N5407

1N5407

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Micro Commercial Components (MCC)
En stock
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407TA

1N5407TA

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
En stock
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
En stock
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Comchip Technology
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RFQ
1N5407RL

1N5407RL

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: ON Semiconductor
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RFQ
1N5407G-T

1N5407G-T

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
1N5407

1N5407

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor
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RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5407G

1N5407G

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

La description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
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