FDMS3686S

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS3686S
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMS3686S.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA
Package composant fournisseur

Power56
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 13A, 10V
Puissance - Max

1W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS3686S-ND
FDMS3686STR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1785pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

13A, 23A

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Ce qui suit est des produits liés à "FDMS3686S".

FDMS3660S

La description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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