FDMS4D0N12C

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS4D0N12C
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

PTNG 120V N-FET PQFN56
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

FDMS4D0N12C.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 370A
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PQFN (5x6)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 67A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.7W (Ta), 106W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS4D0N12C-ND
FDMS4D0N12COSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb

Lead free
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6460pF @ 60V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

120V
Description détaillée

N-Channel 120V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18.5A (Ta), 114A (Tc)

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livraison
Mode de paiement

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Ce qui suit est des produits liés à "FDMS4D0N12C".

FDMS3664S

La description: MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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