FDMS6673BZ

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS6673BZ
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMS6673BZ.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PQFN (5x6)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8 mOhm @ 15.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 73W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS6673BZTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5915pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 15.2A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

15.2A (Ta), 28A (Tc)

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livraison
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FDMS7578

La description: MOSFET N-CH 25V 17A POWER56

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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