FDMS4435BZ

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS4435BZ
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMS4435BZ.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PQFN (5x6)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 39W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS4435BZ-ND
FDMS4435BZTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Ta), 18A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "FDMS4435BZ".

FDMS4D0N12C

La description: PTNG 120V N-FET PQFN56

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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