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AS4C64M16MD2-25BCNTR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    AS4C64M16MD2-25BCNTR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.14 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Package composant fournisseur
    134-FBGA (10x11.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    134-VFBGA
  • Température de fonctionnement
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    1Gb (64M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 400MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16MD2A-25BCNTR

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16MD1-6BCNTR

AS4C64M16MD1-6BCNTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16MD1-6BINTR

AS4C64M16MD1-6BINTR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M32MD2-25BCN

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricant: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16MD1A-5BINTR

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M32MD1-5BCN

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

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AS4C64M16MD1-5BIN

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AS4C64M16MD1-6BCN

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AS4C64M32MD1-5BIN

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AS4C64M16MD1-6BIN

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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AS4C64M16MD1-5BCNTR

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AS4C64M32MD2A-25BCN

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AS4C64M16MD2-25BCN

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

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AS4C64M16MD1-5BINTR

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AS4C64M16MD1A-5BIN

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AS4C64M32MD1-5BCNTR

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AS4C64M32MD2-25BCNTR

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AS4C64M16MD2A-25BCN

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