Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > DMN10H120SE-13
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
622554DMN10H120SE-13 imageDiodes Incorporated

DMN10H120SE-13

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
2500+
$0.237
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    DMN10H120SE-13
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DMN10H120SE-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-223
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.3W (Ta)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-261-4, TO-261AA
  • Autres noms
    DMN10H120SE-13DITR
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    20 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    549pF @ 50V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    6V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    3.6A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "DMN10H120SE-13".
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

La description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

La description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

La description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

La description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

La description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

La description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

La description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

La description: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

La description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

La description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

La description: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Fabricant: Diodes Incorporated
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.