ZXMC3A18DN8TA

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Spécifications

Modèle de produit

ZXMC3A18DN8TA
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ZXMC3A18DN8TA.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 5.8A, 10V
Puissance - Max

1.8W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

ZXMC3A18DN8CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
type de FET

N and P-Channel
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.8A, 4.8A

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Ce qui suit est des produits liés à "ZXMC3A18DN8TA".

ZXM66P02N8TC

La description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

Fabricant: Diodes Incorporated

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